Post-deposition annealing effect on the structural and electrical properties of ytterbium oxide as an alternative gate dielectric

MORKOÇ BERK, KAHRAMAN AYŞEGÜL, YILMAZ ERCAN , Yayın Yeri: MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS , 2022

UluslararasıHakemliSCIÖzgün Makalehttp://dx.doi.org/10.1016/j.matchemphys.2022.126875

Effects of the oxide/interface traps on the electrical characteristics in Al/Yb2O3/SiO2/n-Si/Al MOS capacitors

MORKOÇ BERK, KAHRAMAN AYŞEGÜL, YILMAZ ERCAN , Yayın Yeri: Journal of Materials Science: Materials in Electronics , 2021

UluslararasıHakemliSCI-ExpandedÖzgün Makalehttp://dx.doi.org/10.1007/s10854-021-05588-0

The relationship between structural and electrical properties of the post-deposition annealed Er2O3/n-Si hetero-structures

KAHRAMAN AYŞEGÜL, MORKOÇ BERK, YILMAZ ERCAN , Yayın Yeri: Materials Science in Semiconductor Processing , 2021

UluslararasıHakemliSCI-ExpandedÖzgün Makalehttp://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2021.105819

Dose responses of the SiO2 used in radiation sensors in field effect transistor form

KAHRAMAN AYŞEGÜL, MORKOÇ BERK, YILMAZ OZAN, YILMAZ ERCAN , Yayın Yeri: Journal of Bionic Memory , 2021

UluslararasıHakemliSCI-ExpandedÖzgün Makale

Electrical Parameters of the Erbium Oxide MOS Capacitor for Different Frequencies

MORKOÇ BERK,KAHRAMAN AYŞEGÜL,AKTAĞ ALİEKBER,YILMAZ ERCAN , Yayın Yeri: Celal Bayar Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi , 2019

UluslararasıHakemliTR DİZİNÖzgün Makalehttp://dergipark.org.tr/doi/10.18466/cbayarfbe.460022

Evaluatıon of THE RadFet radıatıon sensor Performance ın 18 mv-external beam

MORKOÇ BERK,KAHRAMAN AYŞEGÜL,DİNÇER Yeğen,YILMAZ ERCAN , Yayın Yeri: Uludağ University Journal of The Faculty of Engineering , 2019

UlusalHakemliTR DİZİNÖzgün Makale